ウェハ破損
-
-
ウェハクラック
-
-
原因
薄ウェハの搬送を行う際に、真空吸着では一点に負荷が集中してしまい、ウェハクラックやウェハの表面にある微細な異物を噛み込んでしまうといった問題が発生している事が主な原因となります。
-
-
解決策
真空吸着で面積あたりの吸引力を低下させながらも、安定的な搬送の実現KUMADEは通常の真空吸着比で面積あたりの吸引力が360分の1。φ300mm、厚さ20μm厚の超極薄ウェハも割らずに安定搬送を行っています。
-
-
エッジの割れ、カケ
-
-
原因
反っているウェハをキャリアカセット等から取り出し動作を行うと、必然的にこすれが発生している事が主な原因です。
また、クランプや落とし込みハンドによる搬送でも、薄いウェハの外周はナイフエッジとなっている事も原因の１つとなります。
-
-
解決策
物理的に触れないウェハ搬送が究極の解決策KUMADEは真空吸着と違い、ワーク有無に関わらず吸引力の発生が可能なため、反りや歪みを矯正してカセットに擦らずに搬送することができます。
-
-
ウェハが脆い（化合物InP、GaAs）
-
-
原因
脆い化合物ウェハでは、Siウェハと真空吸着のように一点に負荷をかけると、そこから亀裂が入り（内部クラック）割れ、カケの原因に繋がります。
こういった搬送方法である事が主な原因となります。
-
-
解決策
真空吸着で面積あたりの吸引力を低下させながらも、安定的な搬送の実現KUMADEは通常の真空吸着比で面積あたりの吸引力が360分の1。φ300mm、厚さ20μm厚の超極薄ウェハも割らずに安定搬送を行っています。
-
-
DBGによるチップ同士のエッジ割れ、カケ
-
-
原因
チップレベルで反ったウェハが真空吸着で搬送することにより、チップ同士が干渉して割れ・カケが発生します。
こういった搬送方法である事が主な原因となります。
-
-
解決策
チップ同士の干渉を受けずに搬送ウェハ全体を優しく吸着するとともに、反りや歪みを矯正することで可能となり、唯一無二の解決策となります。
-
-
